Počet záznamů: 1  

Testing of surface properties pre-rad and post-rad of n-in-p silicon sensors for very high radiation environment

  1. 1.
    SYSNO0361427
    NázevTesting of surface properties pre-rad and post-rad of n-in-p silicon sensors for very high radiation environment
    Tvůrce(i) Lindgren, S. (US)
    Affolder, A.A. (GB)
    Allport, P.P. (GB)
    Bates, R. (GB)
    Betancourt, C. (US)
    Böhm, Jan (FZU-D)
    Brown, H. (GB)
    Buttar, C. (GB)
    Carter, J. R. (GB)
    Casse, G. (GB)
    Mikeštíková, Marcela (FZU-D) RID, ORCID
    Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 636, č. 1 (2011), "S111"-"S117". - : Elsevier
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant LA08032 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Klíč.slova p-bulk silicon * surface damage * charge collection * punch-through voltage
    URLhttp://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.094
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0198739
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.