Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0361396
Název	Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments
Tvůrce(i)	Unno, Y. (JP) Affolder, A.A. (GB) Allport, P.P. (GB) Bates, R. (GB) Betancourt, C. (US) Böhm, Jan (FZU-D) Brown, H. (GB) Buttar, C. (GB) Carter, J. R. (GB) Casse, G. (GB) Mikeštíková, Marcela (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 636, č. 1 (2011), "S24"-"S30". - : Elsevier
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	LA08032 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
CEZ	AV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	NL
Klíč.slova	silicon * micro-strip * ATLAS * SLHC * sensor * radiation damage * p-type * n-in-p
URL	http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.080
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0198717

Počet záznamů: 1