Počet záznamů: 1
Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments
- 1.
SYSNO 0361396 Název Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments Tvůrce(i) Unno, Y. (JP)
Affolder, A.A. (GB)
Allport, P.P. (GB)
Bates, R. (GB)
Betancourt, C. (US)
Böhm, Jan (FZU-D)
Brown, H. (GB)
Buttar, C. (GB)
Carter, J. R. (GB)
Casse, G. (GB)
Mikeštíková, Marcela (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 636, č. 1 (2011), "S24"-"S30". - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant LA08032 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova silicon * micro-strip * ATLAS * SLHC * sensor * radiation damage * p-type * n-in-p URL http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.080 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0198717
Počet záznamů: 1