Počet záznamů: 1

Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

SYSNO	0354206
Název	Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
Tvůrce(i)	Ciccarelli, C. (GB) Park, B.G. (GB) Ogawa, S. (GB) Ferguson, A.J. (GB) Wunderlich, Joerg (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Applied Physics Letters. Roč. 97, č. 8 (2010), 082106/1-082106/3. - : AIP Publishing
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	US
Klíč.slova	MOSFET
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0193257

Počet záznamů: 1