Počet záznamů: 1

Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons

SYSNO	0352508
Název	Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons
Tvůrce(i)	Hovorka, Miloš (UPT-D) Frank, Luděk (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID}
Zdroj.dok.	Proceedings of 5th Japan-China-Norway Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology. S. 15-18. - Toyama : University of Toyama, 2010
Konference	JCNCS2010 /5./ Japan-China-Norway Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology, Toyama, 12.09.2010-15.09.2010
Druh dok.	Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	JP
Klíč.slova	semiconductors * dopant contrast * very low energy SEM
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0192000

Počet záznamů: 1