Počet záznamů: 1
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
- 1.
SYSNO 0342440 Název InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Hazdra, P. (CZ)
Caha, O. (CZ)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 312, č. 8 (2010), 1383-1387. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd GA202/09/0676 GA ČR - Grantová agentura ČR LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III/V materials Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0185175
Počet záznamů: 1