Počet záznamů: 1
Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface
- 1.
SYSNO 0340742 Název Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface Tvůrce(i) Jiříček, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Bartoš, Igor (FZU-D) RID, ORCID
Sadowski, J. (PL)Zdroj.dok. Surface Science. Roč. 603, č. 20 (2009), s. 3088-3093. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA202/07/0601 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA100100628 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova gallium arsenide * angle resolved photoemission * synchrotron radiation photoelectron spectroscopy * molecular beam epitaxy * surface core level shift Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0183924
Počet záznamů: 1