Počet záznamů: 1

Pre-edge XANES structure of Mn in (Ga,Mn)As from first principles

SYSNO	0337620
Název	Pre-edge XANES structure of Mn in (Ga,Mn)As from first principles
Překlad názvu	Pre-edge XANES struktura Mn v (Ga,Mn)As vypočtená z prvních principů
Tvůrce(i)	Goncharuk, Natalya (FZU-D) Kučera, Jan (FZU-D)_RID Smrčka, Ludvík (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Chemistry of Metals and Alloys. Roč. 2, 1-2 (2009), s. 34-38
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	UA
Klíč.slova	(Ga,Mn)As magnetic semiconductor * X-ray absorption near-edge structure * substitutional * interstitial / * defects
URL	http://www.chemetal-journal.org/
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0181571

Počet záznamů: 1