Počet záznamů: 1
Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover
- 1.
SYSNO 0335755 Název Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover Překlad názvu Intra-atomární reorganizace náboje na Pb-Si rozhraní: vazebný mechanismus při nízkém pokrytí Tvůrce(i) Švec, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Dudr, Viktor (FZU-D)
Vondráček, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Jelínek, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Mutombo, Pingo (FZU-D) RID, ORCID
Cháb, Vladimír (FZU-D) RID, ORCID
Šutara, F. (CZ)
Matolín, V. (CZ)
Prince, K. C. (IT)Zdroj.dok. Surface Science. Roč. 603, č. 18 (2009), s. 2861-2869. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA1010413 GA AV ČR - Akademie věd IAA100100616 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova density functional calculations * green´s functional methods * synchrotron radiation photoelectron spectroscopy x-ray scattering * lead * silicon Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0180134
Počet záznamů: 1