Počet záznamů: 1  

Profiling of N-Type Dopants in Silicon Based Structures

  1. 1.
    SYSNO0335293
    NázevProfiling of N-Type Dopants in Silicon Based Structures
    Tvůrce(i) Hovorka, Miloš (UPT-D)
    Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Mikulík, P. (CZ)
    Zdroj.dok. Proceedings of the 4th Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology (CJCS’09). S. 14. - Brno : ISI AS CR, 2009 / Pokorná Zuzana ; Mika Filip
    Konference CJCS’09 - Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology /4./, Brno, 10.08.2009-14.08.2009
    Druh dok.Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grant GP102/09/P543 GA ČR - Grantová agentura ČR
    IAA100650803 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.CZ
    Klíč.slova n-type substrate * SEM * PEEM * doping levels
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0179799
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.