A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0331194
Název	A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics
Překlad názvu	Nový typ kvaziohmické metalizace v semiizolačním GaAs
Tvůrce(i)	Dubecký, F. (SK) Zat'ko, B. (SK) Hubík, Pavel (FZU-D)_{RID, ORCID} Gombia, E. (IT) Boháček, P. (SK) Huran, J. (SK) Sekáčová, M. (SK)
Zdroj.dok.	Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 607, č. 1 (2009), 132-134. - : Elsevier
Konference	International Workshop on Radiation Imaging Detectors /10./, Helsinki, 29.06.2008-03.07.2008
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	IAA1010404 GA AV ČR - Akademie věd
	2/7170/27, SK - Slovenská republika
	APVV-99-P06305, SK - Slovenská republika
	APVV-0459-06, SK - Slovenská republika
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	NL
Klíč.slova	GaAs * semi-insulating * metal-semiconductor contact * Schottky barrier * work function
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0176781

Počet záznamů: 1