Počet záznamů: 1
A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics
- 1.
SYSNO 0331194 Název A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics Překlad názvu Nový typ kvaziohmické metalizace v semiizolačním GaAs Tvůrce(i) Dubecký, F. (SK)
Zat'ko, B. (SK)
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Gombia, E. (IT)
Boháček, P. (SK)
Huran, J. (SK)
Sekáčová, M. (SK)Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 607, č. 1 (2009), 132-134. - : Elsevier Konference International Workshop on Radiation Imaging Detectors /10./, Helsinki, 29.06.2008-03.07.2008 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA1010404 GA AV ČR - Akademie věd 2/7170/27, SK - Slovenská republika APVV-99-P06305, SK - Slovenská republika APVV-0459-06, SK - Slovenská republika CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova GaAs * semi-insulating * metal-semiconductor contact * Schottky barrier * work function Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0176781
Počet záznamů: 1