Počet záznamů: 1
Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs
- 1.
SYSNO 0330532 Název Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs Překlad názvu Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin Tvůrce(i) Hazdra, P. (CZ)
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Komarnitskyy, V. (CZ)
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Superlattices and Microstructures. Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova quantum dots * metal-organic vapor phase epitaxy * indium arsenide * gallium arsenide * photoluminescence * AFM Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0176305
Počet záznamů: 1