Počet záznamů: 1
Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures
- 1.
SYSNO 0328675 Název Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures Překlad názvu Hluboké defekty v heterostrukturách GaN/AlGaN/SiC Tvůrce(i) Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Krištofik, Jozef (FZU-D) RID
Mareš, Jiří J. (FZU-D) RID, ORCID
Výborný, Zdeněk (FZU-D)
Leys, M.R. (BE)
Boeykens, S. (BE)Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Roč. 105, č. 9 (2009), 093706/1-093706/8. - : AIP Publishing Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA202/07/0525 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova nitrides * silicon carbide * deep levels * DLTS Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0174934
Počet záznamů: 1