Magnetism in GaN: Gd, Dy thin layers

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0315822
Název	Magnetism in GaN: Gd, Dy thin layers
Překlad názvu	Magnetismus v tenkých vrstvách GaN: Gd, Dy
Tvůrce(i)	Sofer, Z. (CZ) Sedmidubský, D. (CZ) Buchal, C. (DE) Hardtdegen, H. (DE) Mikulics, M. (DE) Peřina, Vratislav (UJF-V)_RID Macková, Anna (UJF-V)_{RID, ORCID, SAI} Maryško, Miroslav (FZU-D)_RID Hejtmánek, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Václavů, M. (CZ)
Zdroj.dok.	16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials Book of Abstracts. S. 439-439. - Dresden : Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungzentrum Dresden-Rossendorf, 2008
Konference	16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, Dresden, 31.08.2008-05.09.2008
Druh dok.	A2
CEZ	AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011)
	AV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	DE
Klíč.slova	magnetic semiconductors * III–V semiconductors * ion implantation of rare earth
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0165917

Počet záznamů: 1