Počet záznamů: 1
Preparation and properties of thick intentionally undopted GaInP/GaAs layers
- 1.
SYSNO 0303468 Název Preparation and properties of thick intentionally undopted GaInP/GaAs layers Tvůrce(i) Nohavica, Dušan (URE-Y)
Gladkov, Petar (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)
Pospíšil, S. (ed.)
Smith, K.M. (ed.)
Wilhelm, I. (ed.)Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 434, No 1 Special Issue (1999), s. 164-168. - : Elsevier Konference International Workshop on Gallium Arsenide and Related Compounds /6./, Prague, 22.06.1998-26.06.1998 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA1010807 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova III-V semiconductors * photoluminescence * semiconductor doping Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0113683
Počet záznamů: 1