Počet záznamů: 1
Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping
- 1.
SYSNO 0133068 Název Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping Tvůrce(i) Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Krištofik, Jozef (FZU-D) RID
Mareš, Jiří J. (FZU-D) RID, ORCID
Malý, Jan (FZU-D)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Journal of Applied Physics. Roč. 88, č. 11 (2000), s. 6488-6494. - : AIP Publishing Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA202/99/0410 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA1010806 GA AV ČR - Akademie věd IAA1010807 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Jazyk dok. eng Země vyd. US Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0031058
Počet záznamů: 1