Počet záznamů: 1  

Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric a-SiC:H with low carbon content deposited on semi-transparent ZnO

  1. 1.
    SYSNO ASEP0521781
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVO - Ostatní
    NázevOptoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric a-SiC:H with low carbon content deposited on semi-transparent ZnO
    Tvůrce(i) Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
    Chang, Yu-Ying (FZU-D)
    Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
    Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Shu, H.H. (TW)
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.Book of Abstracts of the 29th Joint Seminar of the Development of Materials Science in Research and Education (DMS – RE 2019). - Bratislava : STU Bratislava, 2019 / Behúlová M. ; Kožíšek Z. ; Papánková B. - ISBN 978-80-8208-019-6
    S. 41-41
    Poč.str.1 s.
    Akce29th Joint Seminar Development of Materials Science in Research and Education (DMS-RE2019)
    Datum konání02.09.2019 - 06.09.2019
    Místo konáníNová Lesná
    ZeměSK - Slovensko
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.SK - Slovensko
    Klíč. slovaZnO ; a-SiC:H
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPEF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    AnotaceHere we will study the optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric a-SiC:H with low carbon content deposited on semi-transparent ZnO electrode using otical absorption spectroscopy PDS (photothermal deflection spectroscopy), Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR), photoluminescence and electroluminescence spectroscopy. The infrared absorbance spectra confirm low carbon content x up to 0.1 in a-SixC1-x:H for SiH4/CH4 ratio 1:3. The increasing CH4 concentration in the H2/SiH4/CH4 flow rate decreases the growth rate of a-SixC1-x:H, increases x and lattice disorder and broadens the band gap to higher energy in agreement with previous publications
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2020
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.