Počet záznamů: 1
MIR LED-like structures with high temperature superlinear luminescence
- 1.
SYSNO ASEP 0463669 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název MIR LED-like structures with high temperature superlinear luminescence Tvůrce(i) Mikhailova, M. P. (RU)
Ivanov, E.V. (RU)
Danilov, L.V. (RU)
Kalinina, K.V. (RU)
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. SMMO 2016. - Lisbon : COST, 2016 / Pereira M.
S. 52Poč.str. 1 s. Forma vydání Nosič - C Akce Annual Conference of COST Action MP1204 and the International Conference on Semiconductor Mid-IR and THZ Materials and Optics SMMO2016. /4./ Datum konání 21.03.2016 - 24.03.2016 Místo konání Lisbon Země PT - Portugalsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. PT - Portugalsko Klíč. slova MOVPE ; InAsSb ; quantum well ; Mid-IR ; impact ionization Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR GP14-21285P GA ČR - Grantová agentura ČR LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace AlSb/InAsSb/AlSb based heterostructures and nanostructures with quantum wells (QWs) grown on GaSb are promising materials for the optoelectronic devices for near- and mid-IR spectral regions. GaSb-based structures with a deep AlSb/InAsSb/AlSb QW were prepared. The impact ionization by the electrons heated at AlSb/QW interface was observed. Two-band superlinear electroluminescence with the highest intensity near 375 K occurs. Presented results for the light-emitting diodes with deep InAsSb QW pave the way for mid-IR devices operating in wide temperature range from –200 C up to +200°C. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1