Počet záznamů: 1

Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev

SYSNO ASEP	0092357
Druh ASEP	L - Prototyp, funkční vzorek
Zařazení RIV	G - Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek)
Název	Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev
Překlad názvu	System for deposition of perovskite layers
Tvůrce(i)	Hubička, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Olejníček, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Virostko, Petr (FZU-D) Čada, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Jastrabík, Lubomír (FZU-D)_{RID, ORCID} Churpita, Olexandr (FZU-D)_{RID, ORCID} Suchaneck, G. (DE) Deyneka, Alexander (FZU-D) Hrabovský, Miroslav (FZU-D)_{RID, ORCID}
Rok vydání	2007
Int.kód	17135
Lokalizace výsledku	Fyzikální ústav AV ČR Praha
Technické parametry	Technologie a metoda realizace perovskitových vrstev
Ekonomické parametry	-
Název vlastníka	Fyzikální ústav AV ČR Praha
IČ vlastníka	68378271
Kat.výsl.dle nákl.	A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč
Využ. jiným subjektem	A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požad. na licenč. popl.	N - Poskytovatel licence nepožaduje licenční poplatek
Jazyk dok.	cze - čeština
Země vlastníka	CZ - Česká republika
Klíč. slova	perovskite layers ; deposition
Vědní obor RIV	BH - Optika, masery a lasery
CEP	1M06002 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	1QS100100563 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	AV0Z10100522 - FZU-D (2005-2011)
Anotace	Systém využívá pro depozici dielektrických vrstev BaxSr1-xTiO3 (BSTO – ferroelektrické perovskity), vykazujících výraznou závislost permitivity na přiloženém stejnosměrném elektrickém napětí, vysokofrekvenčního (RF) plazmochemického reaktoru s proudícím plazmatickým kanálem a s alespoň dvěma dutými katodami napojenými na přívod pracovního plynu, které jsou vybaveny samostatným výkonovým RF generátorem, přitom katody jsou opatřeny tryskami z dielektrických materiálů BaTiO3 a SrTiO3. S pomocí měření RF proudu a napětí vzorkovacími osciloskopy lze systémem dosáhnout rychlé depozice nehomogenních vrstev vhodné kvality se spojitě proměnlivým stechiometrickým parametrem x. Vzhledem k nízké teplotě neutrální složky plazmatu blízké pokojové teplotě (teplota elektronů je 100 000 K) lze vrstvy deponovat i na teplotně citlivé podložky.
Překlad anotace	The system for deposition of dielectric BaxSr1-xTiO3 (BSTO – ferroelectric perovskite) layers, exhibiting a profound permittivity dependency on the dc voltage, employs radio-frequency (RF) plasma-chemical reactor with a jet stream plasmatic channel and at least two hollow cathodes attached to the operational gas source and equipped by high-power RF generator. The cathodes are provided with BaTiO3 and SrTiO3 nozzles. Using the RF current and voltage measured by sample oscilloscopes the system allows a fast deposition of inhomogeneous good-quality layers with continuously varying stoichiometric parameter x. With regard to the low temperature of a neutral plasma component close to the room temperature (while a temperature of electron plasma component is as high as 100 000 K) it is possible to deposit layers also on the thermally sensitive substrates
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2008

Počet záznamů: 1