Počet záznamů: 1
Technologie výroby nelineárních fázových masek
- 1.
SYSNO ASEP 0575662 Druh ASEP Z - Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda/plemeno Zařazení RIV Z - Poloprovoz, ověřená technol., odrůda, plemeno, léčebný postup Poddruh RIV Ověřená technologie Název Technologie výroby nelineárních fázových masek Překlad názvu The manufacturing process of apodized phase masks Tvůrce(i) Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Fořt, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Mikel, Břetislav (UPT-D) RID, SAI
Helán, R. (CZ)
Urban, F. (CZ)Rok vydání 2023 Int.kód APL-2023-03 Technické parametry Technologie pro výrobu nelineárních fázových masek pro vlnovou délku dopadajícího světla 248 nm pomocí elektronové litografie a reaktivního iontového leptání do materiálu fused silica. Přesnost zápisu periody mřížky je 0,1 nm, přesnost naladění hloubky mřížky je ±5 nm. Ekonomické parametry Ověřená technologie realizovaná při řešení grantu s předpokladem smluvního využití s ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, Ph.D., kratky@isibrno.cz. Název vlastníka Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. IČ vlastníka 68081731 Kat.výsl.dle nákl. A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč Lic. popl. A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Jazyk dok. cze - čeština Země vlastníka CZ - Česká republika Klíč. slova apodized phase mask ; e-beam lithography ; reactive ion etching Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) CEP FW01010379 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 Anotace Technologie přípravy fázových nelineárních masek je založena na kombinaci elektronové litografie a reaktivního iontového leptání. Jako substrát je použit materiál fused silica o tloušťce 2,286 mm. Maska, přes kterou se leptá skleněný substrát, je molybdenová vrstva o tloušťce 50 nm připravená magnetronovým naprašováním. Na kovovou masku je do rezistu PMMA o tloušťce 120 nm zapsán motiv mřížky elektronovou litografií se změnou periody 0,1 nm. Přes rezistovou masku se leptá reaktivním iontovým leptáním směsí plynu SF6 a Ar molybdenová maska, přes kterou se leptá skleněný substrát směsí plynů CHF3 a CF4. Přesnost naladění hloubky je ±5 nm. Překlad anotace The manufacturing process of apodized phase mask is based on combination e-beam lithography and reactive ion etching. Fused silica with a thickness of 2,286 mm is used as a substrate. Magnetron sputtered molybdenum layer with a thickness of 50 nm is used as a hard mask for etching the glass substrate. The pattern of the grating is exposed by e-beam writer into the layer of PMMA resist witch thickness of 120 nm. The amallest step of the pitch can be up to 0,1 nm. The etching of molybdenum mask is carried out with reactive ion etching system witch use of gas mixture of SF6 and Ar. The glass substrate is etched by the same system with use of gas mixture of CHF3 and CF4. The precision of the grating depth is ±5 nm. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2024
Počet záznamů: 1