Počet záznamů: 1
Effects of metal layers on chemical vapor deposition of diamond films
- 1.
SYSNO ASEP 0564910 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Effects of metal layers on chemical vapor deposition of diamond films Tvůrce(i) Izsák, T. (SK)
Vanko, G. (SK)
Babčenko, Oleg (FZU-D) ORCID
Zaťko, B. (SK)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 5 Zdroj.dok. Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. - : Slovenská technická univerzita v Bratislave - ISSN 1335-3632
Roč. 73, č. 5 (2022), s. 350-354Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova diamond ; CVD ; metallization ; iridium ; raman ; SEM Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Electrical and electronic engineering CEP LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LUASK22147 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000883793600007 EID SCOPUS 85143055399 DOI 10.2478/jee-2022-0047 Anotace Here, we present the influence of thin metal (Ni, Ir, Au) layers on diamond growth by MWCVD employing two different concepts. In the first concept, a flat substrate (GaN) was initially coated with a thin metal layer, then exposed to the MWCVD process. In the second concept, the diamond film was firstly formed, then it was overcoated with the metal layer and finally, once again exposed to the diamond MWCVD. It was confirmed that the Ni thin films (15 nm) hinder the formation of diamond crystals resulting in the formation of an amorphous carbon layer. Contrary to this finding, the Ir layer resulted in a successful overgrowth by the fully closed diamond film. However, by employing concept 2 (ie hybrid diamond/metal/diamond composite), the thin Ir layer was found to be unstable and transferred into the isolated clusters, which were overgrown by the diamond film. Using the Au/Ir (30/15 nm) bilayer system stabilized the metallization and no diamond growth was observed on the metal layer. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https://hdl.handle.net/11104/0336490
Počet záznamů: 1