Počet záznamů: 1
Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films
- 1.
SYSNO ASEP 0564769 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve SCOPUS Název Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films Tvůrce(i) Buryi, Maksym (FZU-D) RID, ORCID
Babin, Vladimir (FZU-D) RID, ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Jarý, Vítězslav (FZU-D) RID, ORCID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 8 Číslo článku 100211 Zdroj.dok. Optical Materials: X. - : Elsevier - ISSN 2590-1478
Roč. 16, Oct. (2022)Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova GaN ; thin films ; Ge doping ; luminescence Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GJ20-05497Y GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 EID SCOPUS 85142136611 DOI 10.1016/j.omx.2022.100211 Anotace To better understand the scintillation properties of gallium nitride, a detailed characterization of Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) grown GaN layers doped with Ge is conducted. This study includes the measurements of radioluminescence and photoluminescence spectra, thermally stimulated luminescence as well as scintillation decay kinetics. The representative radio- and photoluminescence spectra are composed of two bands. The narrow and fast band peaking at about 3.4 eV is ascribed to excitons and the broad and slow defect-related band with the maximum at about 2.2 eV is produced by carbon occupying nitrogen site. It has been found that the decay kinetics and amplitude of the exciton and defect emission are sensitive to the Ge doping level. In particular, the exciton- and the defect-related luminescence become faster with increasing Ge content. Charge trapping processes were also affected by the Ge doping.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https://hdl.handle.net/11104/0336364
Počet záznamů: 1