Počet záznamů: 1  

Bi Layer properties in the Bi-FeNi GMR-type structures probed by spectroscopic ellipsometry

  1. 1.
    SYSNO ASEP0562430
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevBi Layer properties in the Bi-FeNi GMR-type structures probed by spectroscopic ellipsometry
    Tvůrce(i) Kovaleva, N. (RU)
    Chvostová, Dagmar (FZU-D) RID, SAI, ORCID
    Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
    Dejneka, Alexandr (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů4
    Číslo článku872
    Zdroj.dok.Coatings. - : MDPI
    Roč. 12, č. 6 (2022)
    Poč.str.13 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CH - Švýcarsko
    Klíč. slovaoptical GMR effect ; bismuth-permalloy multilayers ; spectroscopic ellipsometry
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPEF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000817703700001
    EID SCOPUS85132901474
    DOI10.3390/coatings12060872
    AnotaceBismuth (Bi) having a large atomic number is characterized by a strong spin–orbit coupling (SOC) and is a parent compound of many 3D topological insulators (TIs). The ultrathin Bi films are supposed to be 2D TIs possessing a nontrivial topology, which opens the possibility of developing new efficient technologies in the field of spintronics. Here we aimed at studying the dielectric function properties of ultrathin Bi/FeNi periodic structures using spectroscopic ellipsometry. The [Bi(d)–FeNi(1.8 nm)]N GMR-type structures were grown by rf sputtering deposition on Sitall-glass (TiO2) substrates. The llipsometric angles Y(w) and D(w) were measured for the grown series (d = 0.6, 1.4, 2.0, and 2.5 nm, N= 16) of the multilayered film samples at room temperature for four angles of incidence of 60, 65, 70, and 75 in a wide photon energy range of 0.5–6.5 eV.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2023
    Elektronická adresahttps://hdl.handle.net/11104/0334749
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.