Počet záznamů: 1
PtSe.sub.2./sub. and MoS.sub.2./sub. active layers for gas sensing at room temperature
- 1.
SYSNO ASEP 0559038 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název PtSe2 and MoS2 active layers for gas sensing at room temperature Tvůrce(i) Kočí, Michal (FZU-D) ORCID
Izsák, Tibor (FZU-D) ORCID
Vanko, G. (SK)
Sojková, M. (SK)
Husák, M. (CZ)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT - ADEPT 2022. - Žilina : University of Žilina, 2022 / Feiler M. ; Ziman M. ; Kováčová S. ; Kováč, jr. J. - ISBN 978-80-554-1884-1 Rozsah stran s. 117-120 Poč.str. 5 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies - ADEPT 2022 Datum konání 20.06.2022 - 24.06.2022 Místo konání Tatranská Lomnica Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova gas sensor ; PtSe2 ; MoS2 ; nanocrystalline diamond Vědní obor RIV JB - Senzory, čidla, měření a regulace Obor OECD Materials engineering CEP LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Gas sensors are nowadays an integral part of everyday life. New materials and fabrication processes allow the production of smaller, more accurate, cheaper, and more selective sensors. Here, gas sensing parameters of PtSe2, MoS2, and their heterostructures with nanocrystalline diamond (NCD) were measured at room temperature for oxidizing (NO2) and reducing (NH3) gases. The PtSe2 and MoS2 were prepared directly on SiO2/Si or NCD/SiO2/Si substrates by a simple selenization and a carbide-free one-zone sulfurization method. Advantageously, prepared heterostructure enhanced the gas sensing parameters and showed a notable electrical response to the examined gas types at room temperature. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023
Počet záznamů: 1