Počet záznamů: 1
Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping
- 1.
SYSNO ASEP 0558906 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping Tvůrce(i) Vaněk, Tomáš (FZU-D) ORCID
Jarý, Vítězslav (FZU-D) RID, ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Gedeonová, Zuzana (FZU-D) ORCID
Babin, Vladimir (FZU-D) RID, ORCID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Buryi, Maksym (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 9 Číslo článku 165255 Zdroj.dok. Journal of Alloys and Compounds. - : Elsevier - ISSN 0925-8388
Roč. 914, Sep (2022)Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova semiconductors ; nitride materials ; vapor deposition ; optical properties ; luminescence Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GJ20-05497Y GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000804475500001 EID SCOPUS 85130063416 DOI 10.1016/j.jallcom.2022.165255 Anotace A huge acceleration of the yellow band defect luminescence (YB) with increasing Si and Ge doping concentration in GaN layers has been observed and studied. The donor doping concentrations in the n-type GaN varied from 5 × 10E16 cm−3 to 1.5 × 10E19 cm−3 for undoped, Si-doped, and Ge-doped samples. Consequently, the fastest component of the photoluminescence (PL) decay time curve accelerated from 0.9 ms to 40.3 ns, and the mean decay time from 20 ms to 260 ns with increasing doping concentration. We have proposed an explanation based on a theoretical model of donor-acceptor pair transition (DAP) and electron-acceptor (e-A0) recombination at higher dopant concentrations, which is supported by several measurement techniques as room-temperature radioluminescence (RL), PL measurements or thermally stimulated luminescence (TSL). Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165255
Počet záznamů: 1