Počet záznamů: 1  

Z.sub.3./sub. charge density wave of silicon atomic chains on a vicinal silicon surface

  1. 1.
    SYSNO ASEP0558816
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevZ3 charge density wave of silicon atomic chains on a vicinal silicon surface
    Tvůrce(i) Do, E. (KR)
    Park, J.-W. (KR)
    Stetsovych, Oleksandr (FZU-D) ORCID
    Jelínek, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
    Yeom, H.W. (KR)
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.ACS Nano. - : American Chemical Society - ISSN 1936-0851
    Roč. 16, č. 4 (2022), s. 6598-6604
    Poč.str.7 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovanc-AFM ; DFT ; 1D chains ; CDW
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPGX20-13692X GA ČR - Grantová agentura ČR
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000813109400001
    EID SCOPUS85128623375
    DOI10.1021/acsnano.2c00972
    AnotaceAn ideal one-dimensional electronic system is formed along atomic chains on Au-decorated vicinal silicon surfaces, but the nature of its low-temperature phases has been puzzling for last two decades. Here, we unambiguously identify the low-temperature structural distortion of this surface using high-resolution atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy. The most important structural ingredient of this surface, the step-edge Si chains, are found to be strongly buckled, every third atom down, forming trimer unit cells. This observation is consistent with the recent model of rehybridized dangling bonds and rules out the antiferromagnetic spin ordering proposed earlier. The spectroscopy and electronic structure calculation indicate a charge density wave insulator with a Z3 topology, making it possible to exploit topological phases and excitations.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2023
    Elektronická adresahttps://hdl.handle.net/11104/0333948
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.