Počet záznamů: 1
New chemical pathway for large-area deposition of doped diamond films by linear antenna microwave plasma chemical vapor deposition
- 1.
SYSNO ASEP 0558649 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název New chemical pathway for large-area deposition of doped diamond films by linear antenna microwave plasma chemical vapor deposition Tvůrce(i) Marton, M. (SK)
Vojs, M. (SK)
Michniak, P. (SK)
Behúl, M. (SK)
Řeháček, V. (SK)
Pifko, M. (SK)
Stehlík, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 8 Číslo článku 109111 Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. - : Elsevier - ISSN 0925-9635
Roč. 126, June (2022)Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova boron doped diamond ; large area deposition ; trimethyl borate ; linear antenna microwave CVD Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech Obor OECD Materials engineering CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000811816400002 EID SCOPUS 85131423983 DOI 10.1016/j.diamond.2022.109111 Anotace We present an implementation of a liquid-phase boron precursor trimethyl borate for large-area deposition of boron-doped diamond films by linear antenna microwave plasma CVD. Trimethyl borate vapors were used not only as a source of boron for doping but also as the only source of carbon and oxygen, while completely saturating the requirements for the growth of high-quality boron-doped diamond films. However, to allow for control over the doping level through maintaining the B/C and B/O ratios, carbon dioxide was employed as an additional source of carbon and oxygen. The film morphology was controllable from microcrystalline to ultrananocrystalline by changing the concentrations of trimethyl borate. Using this unique precursor system, we were able to grow diamond films with a doping level in range from 8 x 10e17 cm(-3) to 2 x 10e22 cm-3 and resistivity as low as 1.16 x 10e-2 omega.cm. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109111
Počet záznamů: 1