Počet záznamů: 1
Enhanced thermoelectric performance of InTe through Pb doping
- 1.
SYSNO ASEP 0552125 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Enhanced thermoelectric performance of InTe through Pb doping Tvůrce(i) Misra, S. (FR)
Léon, A. (FR)
Levinský, Petr (FZU-D) RID, ORCID
Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Lenoir, B. (FR)
Candolfi, C. (FR)Celkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Journal of Materials Chemistry C. - : Royal Society of Chemistry - ISSN 2050-7526
Roč. 9, č. 40 (2021), s. 14490-14496Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova thermoelectric measurements, ; chalcogenide semiconductors ; Pb doping Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA18-12761S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2018096 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000704011600001 EID SCOPUS 85118121672 DOI 10.1039/d1tc04069c Anotace Chalcogenide semiconductors continue to be of prime interest for designing novel efficient materials for energy-conversion applications. Among them, the narrow-band-gap p-type semiconductor InTe exhibits high thermoelectric performance that mostly stems from its poor ability to transport heat. Here, we show that its thermoelectric figure of merit can be further enhanced by finely tuning the hole concentration through Pb doping. X-ray diffraction and scanning electron microscopy performed on the polycrystalline series In1-xPbxTe confirm that Pb substitutes for In with an estimated solubility limit below 1%. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://doi.org/10.1039/d1tc04069c
Počet záznamů: 1