Počet záznamů: 1
Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements
- 1.
SYSNO ASEP 0546598 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements Tvůrce(i) Izsák, Tibor (FZU-D) ORCID
Vanko, G. (SK)
Babčenko, Oleg (FZU-D) ORCID
Vincze, A. (SK)
Vojs, M. (SK)
Zaťko, B. (SK)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 7 Číslo článku 115434 Zdroj.dok. Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. - : Elsevier - ISSN 0921-5107
Roč. 273, Nov. (2021)Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova polycrystalline diamond ; GaN ; Raman spectroscopy ; stress ; SIMS Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Coating and films CEP LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy 8X20035 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000702850700008 EID SCOPUS 85114516498 DOI 10.1016/j.mseb.2021.115434 Anotace The effect of silicon oxynitride (SiON) layer on the thermally-induced stress of diamond-coated AlGaN/GaN heterostructures was studied by Raman and SIMS spectroscopy. Diamond films (0.8 or 2.8 µm in thickness) were grown by MWCVD on selected areas of AlGaN/GaN/Si substrates with SiON interlayer. The stress in diamond became tensile for the thinner strip in the range of 0÷0.5 GPa and compressive for the thicker strip in the range of -0.6 ÷ -0.1 GPa both measured at temperatures ranging from 50 to 400°C. The applied SiON interlayer positively influenced the induced stress (Δstress decreased by about 0.14 GPa compared to the sample without SiON) independently on the thickness of the diamond film. SIMS depth profiling was applied to analyse the influence of diamond CVD on the AlGaN/GaN interface of SiON passivated samples. As observed, the hydrogen and carbon atoms were trapped in the SiON which acted as a stop layer. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.mseb.2021.115434
Počet záznamů: 1