Počet záznamů: 1

Diamond based solution-gated transistors for biosensor use

SYSNO ASEP	0546558
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Diamond based solution-gated transistors for biosensor use
Tvůrce(i)	Procházka, Václav (FZU-D)_ORCID Krátká, Marie (FZU-D)_{RID, ORCID} Izsák, Tibor (FZU-D)_ORCID Rezek, B. (CZ) Kromka, Alexander (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Celkový počet autorů	5
Zdroj.dok.	Proceedings of ADEPT - ADEPT 2021. - Žilina : University of Žilina, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč, jr. J. - ISBN 978-80-554-1806-3
Rozsah stran	s. 1-4
Poč.str.	4 s.
Forma vydání	Online - E
Akce	9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies - ADEPT 2021
Datum konání	20.09.2021 - 23.09.2021
Místo konání	Podbanské
Země	SK - Slovensko
Typ akce	EUR
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	SK - Slovensko
Klíč. slova	diamond ; surface conductivity ; solution-gated field-effect transistors
Vědní obor RIV	JP - Průmyslové procesy a zpracování
Obor OECD	Materials engineering
CEP	EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	Bioelectronics and biosensors play a crucial role in modern society. The need for selectivity, sensitivity, fast and reliable response raises interest in the use of novel materials. Increased attention has been thus focused on carbon-based materials, namely diamond and graphene, which can provide many advantageous properties. In this paper, we focus on solution-gated field-effect transistors employing the hydrogen-terminated diamond surface as the functional layer for label-free monitoring proteins or cells in real-time. The hydrogen termination of diamond induces a sub-surface two-dimensional p-type channel sensitive to the surrounding conditions (gas molecules, biomolecules, or cells). Here, selected technological approaches in the fabrication of diamond-based solution-gated transistors are discussed.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2022

Počet záznamů: 1