Počet záznamů: 1
In situ monitoring of electrical resistivity and plasma during pulsed laser deposition growth of ultra-thin silver films
- 1.
SYSNO ASEP 0546089 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název In situ monitoring of electrical resistivity and plasma during pulsed laser deposition growth of ultra-thin silver films Tvůrce(i) Novotný, Michal (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Fitl, Přemysl (FZU-D) RID, ORCID
Irimiciuc, S.A. (RO)
Bulíř, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
More Chevalier, Joris (FZU-D) ORCID
Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
Hruška, Petr (FZU-D) ORCID
Chertopalov, Sergii (FZU-D) ORCID
Vrňata, M. (CZ)
Lančok, Ján (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 10 Číslo článku 085301 Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 130, č. 8 (2021)Poč.str. 12 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova silver ; thin films ; insitu measurement Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA20-21069S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000755022000001 EID SCOPUS 85113704562 DOI 10.1063/5.0057317 Anotace Ultra-thin silver films of thicknesses of the order of 10 nm and less were prepared in different ambient conditions (vacuum, Ar, and N2) by pulsed laser deposition on glass and fused silica substrates. The in situ monitoring of electrical resistance of deposited films and optical emission spectroscopy of plasma were implemented as real-time analysis techniques. Change in the growth mechanism of the Ag layer in N2 ambient is expressed by an acceleration of the coalescence process, which shifts the percolation point toward lower mass thicknesses.The films prepared in vacuum and Ar ambient were found to be unstable for a final resistance in the range from 1 to 100MΩ while the films deposited in N2 revealed stable electrical resistance.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://doi.org/10.1063/5.0057317
Počet záznamů: 1