Počet záznamů: 1
Litografická maska
- 1.
SYSNO ASEP 0544061 Druh ASEP L - Prototyp, funkční vzorek Zařazení RIV G - Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek) Poddruh RIV Funkční vzorek Název Litografická maska Překlad názvu Lithographic mask Tvůrce(i) Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Chlumská, Jana (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Meluzín, Petr (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Burda, Daniel (UPT-D)
Ondříšková, Martina (UPT-D)
Lalinský, Ondřej (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Horodyský, P. (CZ)Rok vydání 2021 Int.kód APL-2021-03 Technické parametry Základními technickými parametry jsou perioda mřížky a procentuální pokrytí maskovací vrstvy. Ekonomické parametry Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Bc. Jana Chlumská, chlumska@isibrno.cz Název vlastníka Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. IČ vlastníka 68081731 Kat.výsl.dle nákl. A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč Požad. na licenč. popl. A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Číselná identifikace APL-2021-03 Jazyk dok. cze - čeština Země vlastníka CZ - Česká republika Klíč. slova electron beam lithography ; photomask Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) CEP TN01000008 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 Anotace Pomocí elektronové litografie byla připravena šablona pro fotolitografickou přípravu tenké vodivé mřížky na nevodivé podložce s využitím v elektronové mikroskopii. Překlad anotace A photo mask was prepared using electron–beam lithography. The mask was used for the preparation of a thin conductive grid on a non-conductive substrate by photolithography. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2022
Počet záznamů: 1