Počet záznamů: 1
Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
- 1.
SYSNO ASEP 0543533 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design Tvůrce(i) Hájek, František (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Gedeonová, Zuzana (FZU-D) ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 7 Číslo článku 075016 Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0268-1242
Roč. 36, č. 7 (2021)Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova HEMT ; GaN ; metalorganic vapor phase epitaxy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LTAIN19163 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access s časovým embargem (15.06.2022) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000661636300001 EID SCOPUS 85109215033 DOI 10.1088/1361-6641/abfe9b Anotace The influence of dislocation density on the transport properties of HEMT structures is reported. Experimental results, obtained on HEMT structures prepared in the same growth run on templates with different dislocation densities (DD), are compared. However, the direct comparison of structures is complicated, since parallel parasitic currents through deeper parts of the heterostructure were observed in samples with lower DD. To suppress this phenomenon, the addition of an AlGaN back barrier (BB) beneath 2DEG channel is proposed and optimized and the most suitable design based on both modeling and experimental results is suggested. Subsequently, the comparison of electron mobility in 2DEG for structures with AlGaN BB and different DD was possible. We show that DD lowering considerably increases the electron mobility in 2DEG. DD also has a significant influence on the Fermi level position in GaN. Reduction of DD can improve the performance of high-frequency GaN HEMT applications.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa http://hdl.handle.net/11104/0320728
Počet záznamů: 1