Počet záznamů: 1
Effect of oxygen pressure on stoichiometric transfer in laser ablation of Pr.sup.3+./sup. doped Gd.sub.2./sub.O.sub.3./sub.-Ga.sub.2./sub.O.sub.3./sub. binary system
- 1.
SYSNO ASEP 0543043 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Effect of oxygen pressure on stoichiometric transfer in laser ablation of Pr3+ doped Gd2O3-Ga2O3 binary system Tvůrce(i) Lančok, Ján (FZU-D) RID, ORCID
Novotný, Michal (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Volfová, Lenka (FZU-D) ORCID
More Chevalier, Joris (FZU-D) ORCID
Pereira, A. (FR)Celkový počet autorů 5 Číslo článku 043403 Zdroj.dok. Journal of Vacuum Science & Technology A : Vacuum, Surfaces and Films. - : AIP Publishing - ISSN 0734-2101
Roč. 39, č. 4 (2021)Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova wave-guides ; optical-properties ; thin-films ; luminescence properties ; structural-properties ; growth ; deposition ; Sm2O3-Ga2O3 ; PLD Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA18-17834S GA ČR - Grantová agentura ČR EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000649466000003 EID SCOPUS 85105883849 DOI 10.1116/6.0001001 Anotace Three different compounds, cubic Gd2O3, orthorhombic GdGaO3, and cubic Gd3Ga5O12 doped with Pr3+ ions were fabricated as waveguiding films by pulsed laser deposition from the same target material, Pr3+ doped Gd3Ga5O12 (Pr:GGG) single crystal. All of them were deposited at the same substrate temperature of 800 °C. The different crystalline phases obtained depend only on the ambient oxygen pressure and the substrate type (YAG or YAP single crystals). The structural and texture properties of the films were analyzed by x-ray diffraction. Pr3+ fluorescence properties were found to be similar to those of the bulk crystals. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://doi.org/10.1116/6.0001001
Počet záznamů: 1