Počet záznamů: 1
Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers
- 1.
SYSNO ASEP 0541992 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers Tvůrce(i) Vacek, Petr (UFM-A) ORCID, RID
Frentrup, M. (GB)
Lee, L. Y. (GB)
Massabuau, Fabien C. P. (GB)
Kappers, Menno J. (GB)
Wallis, David J. (GB)
Gröger, Roman (UFM-A) RID, ORCID
Oliver, Rachel A. (GB)Celkový počet autorů 8 Číslo článku 155306 Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 129, č. 15 (2021)Poč.str. 11 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova stacking faults ; gallium nitride ; transmission electron microscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_027/0008056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora UFM-A - RVO:68081723 UT WOS 000641873500002 EID SCOPUS 85104562025 DOI 10.1063/5.0036366 Anotace The defect structure of zincblende GaN nucleation layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on 3C-SiC/Si (001) was investigated by high-resolution scanning transmission electron microscopy. Perfect dislocations, partial dislocations, and stacking faults are present in the layers. Perfect dislocations are identified as 60° mixed-type and act as misfit dislocations to relieve the compressive lattice mismatch strain in GaN. Stacking faults are mainly bounded by 30° Shockley partial dislocations and rarely by Lomer–Cottrell partial dislocations, both of which are able to relieve the compressive lattice mismatch strain in the layer. We propose that the stacking faults and their partial dislocations originate from the dissociation of perfect dislocations present in the zincblende GaN layer and by direct nucleation of partial dislocations loops from the surface. These are the two main mechanisms that lead to the final defect structure of the zincblende GaN nucleation layers. Pracoviště Ústav fyziky materiálu Kontakt Yvonna Šrámková, sramkova@ipm.cz, Tel.: 532 290 485 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0036366
Počet záznamů: 1