Počet záznamů: 1
Direct deposition of CVD diamond layers on the top of GaN membranes
- 1.
SYSNO ASEP 0540753 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Direct deposition of CVD diamond layers on the top of GaN membranes Tvůrce(i) Izsák, Tibor (FZU-D) ORCID
Vanko, G. (SK)
Držík, M. (SK)
Kasemann, S. (AT)
Zehetner, J. (AT)
Vojs, M. (SK)
Zaťko, B. (SK)
Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 9 Číslo článku 35 Zdroj.dok. Proceedings of 4th International Conference nanoFIS 2020 - Functional Integrated nanoSystems. - Basel : MDPI, 2020 / Köck A. ; Deluca M. Rozsah stran s. 1-3 Poč.str. 3 s. Forma vydání Online - E Akce International Conference on Functional Integrated nano Systems (nanoFIS 2020) /4./ Datum konání 02.11.2020 - 04.11.2020 Místo konání Online Země AT - Rakousko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova diamond ; GaN ; CVD ; stress Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy 8X20035 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 DOI 10.3390/proceedings2020056035 Anotace We present technological issues in the deposition of diamond films on the GaN membranes. Many wrinkles and thicker diamond layer were observed at the membrane centre and poor quality diamond outside the membrane area. The deflection of the membranes were analyzed by a bulging method using white light interferometry. The membrane bending was discussed in the terms of temperature gradient and mismatch of thermal expansion coefficients of materials. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021
Počet záznamů: 1