Počet záznamů: 1
Front-side diamond deposition on the GaN membranes
- 1.
SYSNO ASEP 0540751 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Front-side diamond deposition on the GaN membranes Tvůrce(i) Izsák, Tibor (FZU-D) ORCID
Vanko, G. (SK)
Držík, M. (SK)
Kasemann, S. (AT)
Zehetner, J. (AT)
Vojs, M. (SK)
Zaťko, B. (SK)
Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Proceedings of the 13th International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems. - New York : IEEE, 2020 / Vanko G. ; Izsák T. - ISBN 978-1-7281-9776-0 Rozsah stran s. 42-45 Poč.str. 4 s. Forma vydání Online - E Akce International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems - (ASDAM) /13./ Datum konání 11.10.2020 - 14.10.2020 Místo konání Smolenice Země SK - Slovensko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova diamond ; GaN ; CVD ; stress Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy 8X20035 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace We present technological issues in the deposition of diamond films on the GaN membranes. Many wrinkles and the thicker diamond layer were observed at the membrane centre and poor quality diamond outside the membrane area. The deflection of the membranes were analyzed by a bulging method using white light interferometry. The membrane bending was discussed in the terms of temperature gradient and mismatch of thermal expansion coefficients of materials. Optimized technological procedure was proposed to obtain both-side diamond-coated GaN membranes with minimized effect of wrinkling and induced residual stress. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021
Počet záznamů: 1