Počet záznamů: 1  

Humidity sensitivity of large area silicon sensors: Study and implications

  1. 1.
    SYSNO ASEP0540420
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevHumidity sensitivity of large area silicon sensors: Study and implications
    Tvůrce(i) Fernandez-Tejero, J. (ES)
    Allport, P.P. (GB)
    Avino, O. (ES)
    Dette, K. (CA)
    Fadeyev, V. (US)
    Fleta, C. (ES)
    Gillberg, D. (CA)
    Gonella, L. (GB)
    Hara, K. (JP)
    Helling, C. (US)
    Hommels, B. (GB)
    Keller, J. (CA)
    Klein, C. (GB)
    Koffas, T. (CA)
    Latoňová, Věra (FZU-D) ORCID
    Mikeštíková, Marcela (FZU-D) RID, ORCID
    Orr, R. S. (CA)
    Pyatt, S. (GB)
    Scharf, C. (DE)
    Soldevila, U. (ES)
    Staats, E. (CA)
    Thomas, J. (GB)
    Ullan, M. (ES)
    Unno, Y. (JP)
    Vellvehi, M. (ES)
    Wada, S. (JP)
    Celkový počet autorů26
    Číslo článku164406
    Zdroj.dok.Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002
    Roč. 978, Oct (2020), s. 1-6
    Poč.str.6 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovalarge area silicon sensors ; slim-edge ; HL-LHC
    Vědní obor RIVBF - Elementární částice a fyzika vys. energií
    Obor OECDParticles and field physics
    CEPLM2018104 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    LTT17018 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOmezený přístup
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000560076700009
    EID SCOPUS85088310206
    DOI10.1016/j.nima.2020.164406
    AnotaceThe production of large area sensors is one of the main challenges that the ATLAS collaboration faces for the new Inner-Tracker full-silicon detector. During the prototype fabrication phase for the High Luminosity Large Hadron Collider upgrade, several ATLAS institutes observed indications of humidity sensitivity of large area sensors, even at relative humidities well below the dew point. Specifically, prototype Barrel and End-Cap silicon strip sensors fabricated in 6-inch wafers manifest a prompt decrease of the breakdown voltage when operating under high relative humidity, adversely affecting the performance of the sensors. In addition to the investigation of these prototype sensors, a specific fabrication batch with special passivation is also studied, allowing for a deeper understanding of the responsible mechanisms. This work presents an extensive study of this behaviour on large area sensors.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2021
    Elektronická adresahttps://doi.org/10.1016/j.nima.2020.164406
Počet záznamů: 1