Počet záznamů: 1  

SMV-2020-23: Vývoj testovacích preparátů pro REM

  1. 1.
    SYSNO ASEP0536616
    Druh ASEPV - Výzkumná zpráva
    Zařazení RIVV – výzkumná zpráva
    NázevSMV-2020-23: Vývoj testovacích preparátů pro REM
    Překlad názvuSMV-2020-23: Development of test specimens for SEM
    Tvůrce(i) Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Horáček, Miroslav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Meluzín, Petr (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Chlumská, Jana (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Pokorná, Zuzana (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Celkový počet autorů7
    Vyd. údajeBrno: Tescan Brno s.r.o., 2020
    Poč.str.8 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    Jazyk dok.cze - čeština
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovarelief structure: e-beam lithography ; silicon etching ; microlithography
    Vědní obor RIVBH - Optika, masery a lasery
    Obor OECDNano-processes (applications on nano-scale)
    Další zdrojneveřejné zdroje
    AnotaceVývoj přesných reliéfních struktur v křemíku určených pro testování zobrazování v rastrovacích elektronových mikroskopech (REM). Pro přípravu preparátů byly využity mikro litografické techniky opracování křemíku. Byly vyvinuty přípravky pro technologické operace depozice rezistu a pro operace leptání. Optimalizace bylo dosaženo i v oblasti transferu reliéfní struktury do křemíkové podložky při anizotropním leptání, díky modifikacím leptací aparatury. Pro kontrolu a vyhodnocení jakosti čipů mezi jednotlivými technologickými operacemi byly vyvinuty standardizované postupy.
    Překlad anotaceDevelopment in the field realization of precise relief structures in the silicon dedicated to the testing of the scanning electron microscopes (SEM) deflection field and accuracy. Micro-lithographic techniques for the recording of patterns in the silicon were used. New tools for handling during technological operations of resist deposition and etching were developed. Optimization was reached in the process of transfer of the relief structure into silicon via anisotropic etching, due modification of etching apparatus. Standardized procedures for inspection and quality control were developed.
    PracovištěÚstav přístrojové techniky
    KontaktMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Rok sběru2021
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.