Počet záznamů: 1  

Fázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii

  1. 1.
    SYSNO ASEP0536583
    Druh ASEPL - Prototyp, funkční vzorek
    Zařazení RIVG - Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek)
    Poddruh RIVFunkční vzorek
    NázevFázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii
    Překlad názvuPhase plate for transmission electron microscopy
    Tvůrce(i) Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Fořt, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Materna Mikmeková, Eliška (UPT-D) ORCID, RID, SAI
    Radlička, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Řiháček, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID
    Sháněl, O. (CZ)
    Schneider, M. (CZ)
    Mareček, D. (CZ)
    Celkový počet autorů9
    Rok vydání2020
    Int.kódAPL-2020-07
    Technické parametryKřemíkový čip (tloušťka 200 µm) nesoucí tenkou nitridovou membránu (tloušťka ⁓70 nm). Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu (⁓3 nm).
    Ekonomické parametryFunkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, kratky@isibrno.cz
    Název vlastníkaÚstav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
    IČ vlastníka68081731
    Kat.výsl.dle nákl.A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč
    Požad. na licenč. popl.A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
    Číselná identifikaceAPL-2020-07
    Jazyk dok.cze - čeština
    Země vlastníkaCZ - Česká republika
    Klíč. slovatransmission electron microscopy ; phase plate ; silicon nitride ; thin layers ; e-beam lithography
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Obor OECDElectrical and electronic engineering
    CEPTN01000008 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
    Institucionální podporaUPT-D - RVO:68081731
    AnotaceFázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip připevněný na platinovou clonku, která zároveň odstiňuje nežádoucí elektrony. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu kvůli zajištění vodivosti vzorku.
    Překlad anotaceSilicon nitride phase plate serve as a phase shift element for high energy electrons. Silicon die is a supporting substrate for thin membrane which is glued to platinum aperture. The aperture eliminates unwanted electrons. The whole sample is coated with thin layer of molybdenum to ensure the conductivity of the sample.
    PracovištěÚstav přístrojové techniky
    KontaktMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Rok sběru2021
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.