Počet záznamů: 1
Transferless Inverted graphene/silicon heterostructures prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition of amorphous silicon on CVD graphene
- 1.
SYSNO ASEP 0531897 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Transferless Inverted graphene/silicon heterostructures prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition of amorphous silicon on CVD graphene Tvůrce(i) Müller, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Bouša, Milan (UFCH-W) RID, ORCID
Hájková, Zdeňka (FZU-D) RID, ORCID
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Drogowska-Horna, Karolina A. (UFCH-W)
Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
Frank, Otakar (UFCH-W) RID, ORCIDCelkový počet autorů 8 Číslo článku 589 Zdroj.dok. Nanomaterials. - : MDPI
Roč. 10, č. 3 (2020), s. 1-10Poč.str. 10 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova silicon ; graphene ; heterostructure ; CDV Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) Vědní obor RIV – spolupráce Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského - Fyzikální chemie a teoretická chemie CEP EF16_026/0008382 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA17-18702S GA ČR - Grantová agentura ČR EF16_013/0001821 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; UFCH-W - RVO:61388955 UT WOS 000526090400189 EID SCOPUS 85082713590 DOI 10.3390/nano10030589 Anotace The heterostructures of two-dimensional (2D) and three-dimensional (3D) materials represent one of the focal points of current nanotechnology research and development. From an application perspective, the possibility of a direct integration of active 2D layers with exceptional optoelectronic and mechanical properties into the existing semiconductor manufacturing processes is extremely appealing. However, for this purpose, 2D materials should ideally be grown directly on 3D substrates to avoid the transferring step, which induces damage and contamination of the 2D layer. Alternatively, when such an approach is difficult-as is the case of graphene on noncatalytic substrates such as Si-inverted structures can be created, where the 3D material is deposited onto the 2D substrate. In the present work, we investigated the possibility of using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to deposit amorphous hydrogenated Si (a-Si:H) onto graphene resting on a catalytic copper foil. The resulting stacks created at different Si deposition temperatures were investigated by the combination of Raman spectroscopy (to quantify the damage and to estimate the change in resistivity of graphene), temperature-dependent dark conductivity, and constant photocurrent measurements (to monitor the changes in the electronic properties of a-Si:H). The results indicate that the optimum is 100 degrees C deposition temperature, where the graphene still retains most of its properties and the a-Si:H layer presents high-quality, device-ready characteristics. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021 Elektronická adresa http://hdl.handle.net/11104/0310529
Počet záznamů: 1