Počet záznamů: 1  

Functional nano-structuring of thin silicon nitride membranes

  1. 1.
    SYSNO ASEP0525191
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevFunctional nano-structuring of thin silicon nitride membranes
    Tvůrce(i) Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Řiháček, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID
    Knápek, Alexandr (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. - : Slovenská technická univerzita v Bratislave - ISSN 1335-3632
    Roč. 71, č. 2 (2020), s. 127-130
    Poč.str.4 s.
    Forma vydáníOnline - E
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.SK - Slovensko
    Klíč. slovamembrane ; nano optical device ; electron optics ; electron beam lithography ; silicon nitride ; reactive ion etching ; silicon etching ; microfabrication
    Vědní obor RIVJJ - Ostatní materiály
    Obor OECDNano-processes (applications on nano-scale)
    CEPTN01000008 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
    ED0017/01/01 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaUPT-D - RVO:68081731
    UT WOS000536287900009
    EID SCOPUS85085758550
    DOI10.2478/jee-2020-0019
    AnotaceThe paper describes the development and production of a nano-optical device consisting of a nano-perforated layer of silicon nitride stretched in a single-crystal silicon frame using electron beam lithography (EBL) and reactive ion etching (RIE) techniques. Procedures for transferring nanostructures to the nitride layer are described, starting with the preparation of a metallic mask layer by physical vapor deposition (PVD), high-resolution pattern recording technique using EBL and the transfer of the motif into the functional layer using the RIE technique. Theoretical aspects are summarized including technological issues, achieved results and application potential of patterned silicon nitride membranes.
    PracovištěÚstav přístrojové techniky
    KontaktMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Rok sběru2021
    Elektronická adresahttps://content.sciendo.com/view/journals/jee/71/2/article-p127.xml
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.