Počet záznamů: 1  

Laser and ion beams graphene oxide reduction for microelectronic devices

  1. 1.
    SYSNO ASEP0523925
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevLaser and ion beams graphene oxide reduction for microelectronic devices
    Tvůrce(i) Torrisi, L. (IT)
    Havránek, Vladimír (UJF-V) RID, SAI, ORCID
    Torrisi, Alfio (UJF-V) RID, ORCID
    Cutroneo, Mariapompea (UJF-V) ORCID, RID, SAI
    Silipigni, L. (IT)
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.Radiation Effects and Defects in Solids. - : Taylor & Francis - ISSN 1042-0150
    Roč. 175, 3-4 (2020), s. 226-240
    Poč.str.15 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovaGraphene oxide ; ion beam reduction ; lithography ; laser ; ion beam ; electronic device
    Vědní obor RIVBL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
    Obor OECDFluids and plasma physics (including surface physics)
    CEPLM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    EF16_013/0001812 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    GA19-02482S GA ČR - Grantová agentura ČR
    Způsob publikováníOmezený přístup
    Institucionální podporaUJF-V - RVO:61389005
    UT WOS000522130000002
    EID SCOPUS85082713888
    DOI10.1080/10420150.2019.1701456
    AnotaceReduced graphene oxide (rGO) is a two-dimensional material, which is attracting increasing attention due to its special properties. It can be obtained by laser or ion beam irradiations of pristine graphene oxide (GO). It shows high mechanical resistance, considerable electric and thermal conductivity. All these rGO characteristics together with the high number of molecular species that can be embedded between its layers, make graphene oxide a potential material for electronic sensors or efficient support on which conductive strips, condensers, and micrometric electronic devices can be designed. In particular, as it is described in this paper, it is possible to carry out high spatial resolution lithography in GO by using a focused laser or micro ion beam in order to design macro, micro, and submicron geometrical structures. The use of the reduced graphene oxide for the laser and ion beam fabrication of electrical resistances and capacitances is presented.
    PracovištěÚstav jaderné fyziky
    KontaktMarkéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228
    Rok sběru2021
    Elektronická adresahttps://doi.org/10.1080/10420150.2019.1701456
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.