Počet záznamů: 1
Towards a germanium and silicon laser: the history and the present
- 1.
SYSNO ASEP 0521385 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Towards a germanium and silicon laser: the history and the present Tvůrce(i) Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kůsová, Kateřina (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 5 Číslo článku 624 Zdroj.dok. Crystals. - : MDPI - ISSN 2073-4352
Roč. 9, č. 12 (2019), s. 1-19Poč.str. 19 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova lasing ; silicon ; germanium ; indirect band gap ; light emission ; nanostructures Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA18-05552S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000506676000019 EID SCOPUS 85075900010 DOI 10.3390/cryst9120624 Anotace Various theoretical as well as empirical considerations about how to achieve lasing between the conduction and valence bands in indirect band gap semiconductors (germanium and silicon) are reviewed, starting from the dawn of the laser epoch in the beginning of the sixties. While in Ge the room-temperature lasing under electrical pumping has recently been achieved, in Si this objective remains still illusory. The necessity of applying a slightly different approach in Si as opposed to Ge is stressed. Recent advances in the field are discussed, based in particular on light-emitting Si quantum dots. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa http://hdl.handle.net/11104/0306016
Počet záznamů: 1