Počet záznamů: 1
Comparative study of catalyst-induced doping and metal incorporation in silicon nanowires
- 1.
SYSNO ASEP 0521379 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Comparative study of catalyst-induced doping and metal incorporation in silicon nanowires Tvůrce(i) Šilhavík, Martin (FZU-D) ORCID
Müller, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Klementová, Mariana (FZU-D) RID, ORCID
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Červenka, Jiří (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 8 Číslo článku 132103 Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 114, č. 13 (2019), s. 1-5Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova silicon nanowires ; PECVD ; catalyst doping Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-12355S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000463657000015 EID SCOPUS 85063785639 DOI 10.1063/1.5086617 Anotace Foreign atoms incorporated into the crystal structure of a semiconductor have profound effects on the electronic structure and chargetransport in the material, particularly in nanoscale systems. Here, we demonstrate that catalyst-induced doping of silicon nanowires (SiNWs)can be used as an effective way for controlling dopant density and electrical conductivity in SiNWs, allowing the construction of p-n junc-tions. We investigate and compare metal incorporation and charge transport in SiNWs grown by six different metal catalysts (In, Sn, Bi, Ga,Pb, and Au) in plasma-enhanced chemical vapor deposition. The distribution of the catalytic metals within SiNWs was mapped by scanningtransmission electron microscopy using high-angle annular dark-field imaging. The metals are either homogenously distributed or segregatedin clusters on the surface or in the core of the nanowires, depending on the metal catalyst used. Each of the metal catalysts is found to play aunique role in the charge transport of SiNWs. Sn, Pb, and Au yield semiconducting SiNWs, Ga and In produce p-type self-doped SiNWs,and Bi catalyzes n-type self-doped SiNWs. A combination of these different nanowires may provide a bottom-up growth strategy for fabrica-tion of different nanowire-based electronic components Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa https://doi.org/10.1063/1.5086617
Počet záznamů: 1