Počet záznamů: 1
Improvement of GaN crystalline quality by SiN.sub.x./sub. layer grown by MOVPE
- 1.
SYSNO ASEP 0520842 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Slavická Zíková, Markéta (FZU-D)
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Hasenöhrl, S. (SK)Celkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Lithuanian Journal of Physics. - : Lithuanian Academy of Sciences Publishers - ISSN 1648-8504
Roč. 59, č. 4 (2019), s. 179-186Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. LT - Litva Klíč. slova dislocations ; MOVPE ; GaN ; SiNx ; photoluminescence Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR TH02010014 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000505595100002 EID SCOPUS 85078539856 DOI 10.3952/physics.v59i4.4134 Anotace In this work the mechanism which helps to reduce the dislocation density by deposition of a SiNx interlayer is discussed. It is shown that the dislocation reduction by SiNx interlayer deposition is influenced by dislocation density in the underlying GaN layers. The SiNx interlayer is very effective when the original dislocation density is high, while in the case of lower dislocation density the deposition of SiNx is not effective for crystal quality improvement. The most probable mechanism is the annihilation of bended neighbouring dislocations during the coalescence of 3D islands. The SiNx layer cannot serve as a barrier for dislocations, since it is probably dissolved during the following GaN growth and dissolved Si atoms are incorporated into the above-grown GaN layer which stimulates the 3D island formation. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa http://hdl.handle.net/11104/0305500
Počet záznamů: 1