Počet záznamů: 1
Nucleation of diamond micro-patterns with photoluminescent SiV centers controlled by amorphous silicon thin films
- 1.
SYSNO ASEP 0520201 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Nucleation of diamond micro-patterns with photoluminescent SiV centers controlled by amorphous silicon thin films Tvůrce(i) Fait, Jan (FZU-D) ORCID
Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Stehlík, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Artemenko, Anna (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Rezek, B. (CZ)Celkový počet autorů 7 Zdroj.dok. Applied Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0169-4332
Roč. 480, June (2019), s. 1008-1013Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova spontaneous nucleation ; diamond ; hydrogenated amorphous silicon ; selective growth ; focused microwave CVD Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA17-19968S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000463008200115 EID SCOPUS 85062731816 DOI 10.1016/j.apsusc.2019.03.064 Anotace Selective deposition of diamond allows bottom-up growth of diamond nanostructures and nanoscale devices. However, it remains challenging to reduce the size of the patterns and to suppress parasitic spontaneous nucleation. We show here that thin layers of hydrogenated amorphous silicon (down to 40 nm) efficiently suppress spontaneous nucleation of diamond. The suppression of diamond nucleation does not depend on the substrate materials below hydrogenated amorphous silicon (Si, SiO2, Pt, Ni). We attribute the suppressed diamond nucleation to surface disorder on atomic scale. By using a structured layer of hydrogenated amorphous silicon, highly selective growth of diamond micro-patterns with optically active SiV centers by low-temperature microwave plasma chemical vapor deposition is achieved. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.03.064
Počet záznamů: 1