Počet záznamů: 1
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond
- 1.
SYSNO ASEP 0511336 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond Tvůrce(i) Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Dragounová, K. (CZ)
Ashcheulov, Petr (FZU-D) ORCID, RID
Taylor, Andrew (FZU-D) RID, ORCID
Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
Poruba, Aleš (FZU-D) RIDCelkový počet autorů 8 Číslo článku 1900241 Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : Applications and Materials Science. - : Wiley - ISSN 1862-6300
Roč. 216, č. 21 (2019), s. 1-6Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova silicon carbide ; boron-doped diamond ; diode ; photothermal deflection spectroscopy ; Raman spectroscopy ; infrared spectroscopy ; current-voltage characteristics Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000483266600001 EID SCOPUS 85071032379 DOI 10.1002/pssa.201900241 Anotace Hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide (a-Si1-xCx:H) thin films and diodes with low carbon content were prepared from a mixture of H2, SiH4 and CH4 by plasma enhanced chemical vapour deposition at a relatively high temperature of 450C on semi-transparent conductive boron-doped nanocrystalline diamond (B-NCD) with an underlying Ti grid. Vibration spectra indicate that CH4 prevents Si crystallization and confirms an increasing carbon content up to x=0.1 for samples grown with SiH4/CH4 flows up to 1:3. Dark current-voltage characteristics of B-NCD/a-Si1-xCx:H diodes show a rectifying ratio of about four orders at ±1 V. However, under white light illumination an energy conversion efficiency of 4% is limited by a low fill factor, the high serial resistivity of B-NCD electrode and the s-shape near the open circuit voltage.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa https://doi.org/10.1002/pssa.201900241
Počet záznamů: 1