Počet záznamů: 1
The Structural and Compositional Changes of Graphene Oxide Induced by Irradiation With 500keV Helium and Gallium Ions
- 1.
SYSNO ASEP 0507405 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název The Structural and Compositional Changes of Graphene Oxide Induced by Irradiation With 500keV Helium and Gallium Ions Tvůrce(i) Malinský, Petr (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Floriánová, Markéta (UJF-V)
Cutroneo, Mariapompea (UJF-V) ORCID, RID, SAI
Hnatowicz, Vladimír (UJF-V) RID
Boháčová, M. (CZ)
Szokolova, K. (CZ)
Bottger, R. (DE)
Sofer, Z. (CZ)Celkový počet autorů 9 Číslo článku 180409 Zdroj.dok. Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972
Roč. 256, č. 5 (2019)Poč.str. 8 s. Forma vydání Tištěná - P Akce Symposium K on Defect-Induced Effects in Nanomaterials at the Meeting of the European-Materials-Research-Society Datum konání 17.06.2018 - 22.06.2018 Místo konání Strasbourg Země FR - Francie Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova chemical properties ; electrical properties ; graphen oxide ; ion irradiation Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-05167S GA ČR - Grantová agentura ČR EF16_013/0001812 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000476946300025 EID SCOPUS 85059163075 DOI 10.1002/pssb.201800409 Anotace Structural and compositional modification of 2D materials as graphene or graphene oxide (GO) are topical objects of nowadays due to their many technological applications. Ion irradiation of graphene based materials, as a method for improvement of their surface properties started recently. Ion mass, energy, and fluence are crucial for forming of GO electrical, optical, and mechanical properties. In this work, the GO films are irradiated with 500keV He and Ga ions to different fluences. The ions with different masses and electronic/nuclear stopping power ratios, are chosen with the aim to examine mechanisms of radiation defect creation. The elemental composition of the GO is investigated using Rutherford back-scattering (RBS) and elastic recoil detection analysis (ERDA) techniques. The structural and chemical changes are characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman spectroscopy and the electrical properties are determined by two-point method. The RBS and ERDA analyses indicate deoxygenation and dehydrogenation of the irradiated GO surface. The thickness and the degree of O and H depletion depend on the ion mass. XPS and Raman spectroscopy show removal of oxygen functionalities and structural modifications leading to a decrease in the surface resistivity. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2020 Elektronická adresa https://doi.org/10.1002/pssb.201800409
Počet záznamů: 1