Počet záznamů: 1
Electrical properties of nanoscale heterojunctions formed between GaN and ZnO nanorods
- 1.
SYSNO ASEP 0502998 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Electrical properties of nanoscale heterojunctions formed between GaN and ZnO nanorods Tvůrce(i) Tiagulskyi, Stanislav (URE-Y)
Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)
Schenk, Antonín (URE-Y)
Roesel, David (URE-Y)
Vaniš, Jan (URE-Y) RID
Hamplová, Marie (URE-Y)Celkový počet autorů 7 Zdroj.dok. 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION (NANOCON 2017). - Ostrava : TANGER, 2018 - ISBN 978-80-87294-81-9 Rozsah stran s. 146-151 Poč.str. 6 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 9th International Conference on Nanomaterials - Research and Application (NANOCON) Datum konání 18.10.2017 - 20.10.2017 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova Scanning electron microscope ; Hydrothermal growth ; In-situ current-voltage measurements Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Obor OECD Electrical and electronic engineering CEP GA17-00546S GA ČR - Grantová agentura ČR GA15-17044S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 UT WOS 000452823300023 EID SCOPUS 85051840961 Anotace Vertical periodic arrays of ZnO nanorods are prepared by hydrothermal growth on GaN templates patterned by focused ion beam. Electro-physical properties of a single vertically-oriented ZnO nanorod are investigated by measuring the current-voltage characteristics using a nanoprobe in a scanning electron microscope. This technique enables to observe the surface morphology of ZnO nanorods simultaneously with their electrical characterization in vacuum. The vacuum chamber rejects the impact of gas adsorption and light irradiation, which both affect the properties of ZnO nanorods. Moreover, mechanical damage and strain induced during the nanorod transfer are eliminated. Nonlinear current-voltage characteristics under the forward bias are explained by the tunneling-recombination process and by the space charge limited current. The high reverse bias current in the p-n heterojunction is attributed to direct tunneling via a narrow tunnel barrier Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1