Počet záznamů: 1
Technological possibilities and vacuum systems for deposition of Si:H thin films with embedded nanoparticles
- 1.
SYSNO ASEP 0502002 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Technological possibilities and vacuum systems for deposition of Si:H thin films with embedded nanoparticles Tvůrce(i) Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Kupčík, Jaroslav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 5 Zdroj.dok. Book of Abstracts of the 28th Joint Seminar Development of Materials Science in Research and Education. - Praha : Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, 2018 / Kožíšek Z. ; Král R. ; Zemenová P. - ISBN 978-80-905962-8-3
S. 53-53Poč.str. 1 s. Forma vydání Online - E Akce Joint Seminar Development of Materials Science in Research and Education /28./ Datum konání 03.09.2018 - 07.09.2018 Místo konání Pavlov Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova a-Si:H ; PIN diode ; thin films ; nanoparticles Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) Vědní obor RIV – spolupráce Ústav chemických procesů - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; UCHP-M - RVO:67985858 Anotace For evaluation of new quality Si:H thin films we already used the samples deposited by two technological procedures, which allows the integration of convenient nanoparticles of different semiconductors into the Si:H structures. The first one is a combination of PECVD and Reactive Deposition Epitaxy (RDE) and second one the PECVD and Reactive Laser Ablation (RLA). In both cases the current technology does not allow to deposit the whole diode structure without interruption of vacuum process. Up to now only in the case of PECVD and Vacuum Evaporation together with Plasma Treatment (VE+PT) the all in situ deposition processes where realized in special vacuum chamber. For the development of effective solar cells the long-time efforts were focused on the group 4 of the periodic table of elements, i.e. C, Si, Ge and their eventual alloys.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1